三星被判侵犯FinFET工艺专利：罚款4亿美元
发布于:2018-06-20 17:30:05 点击次数:151
根据美国德克萨斯州联邦法院的裁决，三星电子侵犯了一家韩国大学关于双栅极FinFET半导体工艺的技术专利，必须赔偿4亿美元。
韩国科学技术院(KAIST)在美国的授权机构起诉三星电子，称其曾经宣称要与韩国大学共同研究FinFET(鳍式场效应晶体管)技术，但很快就放弃，改变主意从Intel那里购买授权，不过三星还是使用了他们的技术，却并非付费。
法院认可了这一起诉，责令三星电子赔偿4亿美元。事实上，陪审团发现三星的侵权是故意行为，因此完全可以做出三倍处罚，也就是最多12亿美元。
有趣的是，GlobalFoundries和高通也被发现同样侵权，因为GF是从三星那里买了FinFET工艺的授权，高通则通过三星和GF代工芯片，但这两家无需赔偿。
三星对此判决自然表示很失望，将提出上诉。
目前，三星电子已经超越Intel，成为全球最大的半导体厂商。
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